来源：小九直播杏彩体育 发布时间：2024-11-26 03:57:54 人气：1 次
除了投资“芯片之母”EDA企业，企查查工商资料显示，华为旗下哈勃科技日前入股东莞市天域半导体科技有限公司，后者注册资本也从9027万元增加到9770万元，增幅8%。
据悉，东莞市天域半导体成立于2009年，位于松山湖高新技术产业园区，是我国首家专门干第三代半导体碳化硅外延片研发、生产和销售的高新技术企业。
2010年公司与中科院半导体所合作成立“碳化硅技术研究院”，目前已引进三台世界一流的SiC-CVD及配套检测设备，生产技术达到国际先进水平。
至于深圳哈勃科技，华为技术有限公司则出自69%、华为终端出资30%、哈勃科技出资1%，今年4月刚刚成立。
所谓第三代半导体，主要是二十一世纪以来以氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）、氧化锌(ZnO)、金刚石四种为代表的半导体材料，即高温半导体材料。第一代半导体材料主要是硅（Si）、锗元素（Ge），第二代主要是化合物半导体材料。
本文作者：英飞凌Peter Friedrichs 宽带隙碳化硅（SiC）半导体的开发已证明对功率转换应用极为有利。SiC功率管能够以更高的频率进行切换，并具有更高的击穿电压特性，因此正迅速成为高功率密度或高效功率转换应用中极有吸引力的替代品。但是，尽管该材料具备特性和与硅有许多相似之处，但仍存在一些显着差异。在SiC工艺制作的完整过程中，可将用于测试和验证硅器件的方法迁移过来，从而节约时机和预算。材料与操作条件之间的差异主要是对长期可靠性测试的需求。 Si和SiC之间的差异需要额外的测试 在CoolSiC系列器件的开发和发布过程中，咱们进行了研究，以确定将影响这些半导体的长期可靠性的关键失效机制。只有这样，才能确保基于SiC
器件 /
英飞凌与天岳先进签订全新晶圆和晶锭供应协议，逐步推动其碳化硅供应商体系多元化 【2023 年 5 月 3 日，德国慕尼黑讯】英飞凌科技股份公司与中国碳化硅供应商山东天岳先进科技股份有限公司（以下简称“天岳先进”）签订一项新的晶圆和晶锭供应协议。 该协议不但可以让英飞凌多元化其碳化硅（SiC）材料供应商体系，还能保证英飞凌获得更多具有竞争力的碳化硅材料供应。根据该协议，天岳先进将为德国半导体制造商英飞凌供应用来制造碳化硅半导体的高质量并且存在竞争力的150毫米碳化硅晶圆和晶锭，其供应量预计将占到英飞凌长期需求量的两位数份额。 根据该协议，第一阶段将侧重于 150毫米 碳化硅材料的供应，但天岳先进也将助力英飞凌向200毫米直
6月11日，2021中国集成电路产业生态论坛在浙江宁波鄞州区举行。 论坛上，浙江省集成电路产业（宁波）创新中心项目、芯系科技生产服务中心项目、低功耗高集成高端电源管理芯片项目、创贤半导体设备项目、中科芯电砷化镓外延生产项目、石墨烯GLED照明科技项目、江苏海湾半导体科技有限公司项目、显鋆集成电路投资管理合作项目8个集成电路产业项目与鄞州进行意向签约。 鄞州公布消息显示，创贤半导体设备项目带头人康大智表示，该项目于今年1月启动，专注于功率半导体封测装备的研制。目前企业已确定进入样机测试阶段，正在鄞州寻觅厂房，为量产做准备。据悉，该项目实现量产后，预计4至5年能达到产值2亿元。 此外，鄞州区微电子产业生态联盟也在活动上正式启幕。
安森美半导体，将于5月7日开始的德国纽伦堡欧洲PCIM 2019展会推出新的基于碳化硅(SiC)的混合IGBT和相关的隔离型大电流IGBT门极驱动器。 AFGHL50T65SQDC采用最新的场截止IGBT和SiC肖特基二极管技术，提供低导通损耗和开关损耗，用于多方面的电源应用，包括那些将得益于更低反向恢复损耗的应用，如基于图腾柱的无桥功率因数校正(PFC)和逆变器。 该器件将硅基IGBT与SiC肖特基势垒二极管共同封装，从而在硅基方案的较低性能和完全基于SiC方案的较高成本之间提供出色的权衡。该高性能器件额定工作电压650 V，可处理高达100 A@25 °C (50 A@100 °C)的连续电流，以及高达200
)的混合IGBT /
快速充电机会 快速充电站客户真正的需求充电器体积小、坚固耐用、可靠且高效，同时提供不到 30 分钟的充电时间。通常 3 至 7 kW 的车载充电器需要四个小时或更长时间才能为当今的电动汽车充电。为缩短充电时间，快速板外充电器必须要提供更高的功率——介于 80 kW 和 350 kW 之间。 这种快充器采用模块化设计，采用 15 kW 至 25 kW 模块。这允许充电站继续运行，尽管容量减少，在维修和维护期间。 电动汽车充电器包括两个主要模块：AC/DC 转换器和 DC/DC 转换器。AC/DC 转换器将三相电源从电网传输到直流中间电压，然后由 DC/DC 模块转换为快速充电 EV 电池所需的电压。 交流/直流转换 使用MOSFE
推动电动汽车快速充电器的成本和性能优势 /
中国，北京 – 2017年8月10日 –实现互联世界的创新RF解决方案提供商Qorvo, Inc.（纳斯达克代码：QRVO）今天宣布，推出一款全新的非对称型 Doherty 放大器---QPD2731，有助于客户在设计无线基站设备的过程中实现超高功效。该新一代碳化硅基氮化镓（GaN-on-SiC）解决方案在单个封装中采用两个晶体管，可最大限度提高线性度、效率和增益，并最终降低经营成本。 Strategy Analytics服务总监Eric Higham表示：“相比GaAs和InP等其他高频技术，GaN器件能处理更高的功率；相比LDMOS等其他功率技术，GaN的频率性能更出色。” Qorvo高性能解决方案业务部门总经理Ro
基氮化镓放大器可逐步降低电信基础设施成本 /
汽车产业链中的困难与挑战 在过去一年中，汽车芯片短缺、全球供应链的复杂性和不确定性及市场需求的变化，可能是汽车产业链最为棘手的难题，汽车制造商要一直调整生产和采购策略以应对潜在的风险和瓶颈。随着更多传统车企和新兴造车势力进入新能源汽车市场，竞争压力增大，汽车制造商要一直提升技术创新力以保持竞争优势。同时，行业需要适应一直更新的技术标准和法规，这要求企业在研发、生产和认证等方面做持续投资和调整。 车规级碳化硅（SiC）功率器件的大规模应用是目前汽车行业最火热的话题之一，也是安森美在过去一年里努力发展的重要方向。无论是在低压400V平台，还是在高压800V平台，碳化硅器件都能为电动汽车带来显著的效率提升。碳化
开篇前言 关于SiC MOSFET的并联问题，英飞凌已陆续推出了很多技术资料，帮大家更好的理解与应用。此文章将借助器件SPICE模型与Simetrix仿真环境，分析SiC MOSFET单管在并联条件下的均流特性。 特别提醒 仿真无法替代实验，仅供参考。 1、选取仿真研究对象 SiC MOSFET IMZ120R045M1(1200V/45mΩ)、TO247-4pin、两并联 Driver IC 1EDI40I12AF、单通道、磁隔离、驱动电流±4A(min) 2、仿线所示，基于双脉冲的思路，搭建双管并联的主回路和驱动回路，并设置相关杂散参数，环境和温度为室温。 外部主回路：直
MOSFET单管的并联均流特性 /
电力电子器件的进展
MOSFET功率模块行为模型及其低压辅助电源EMI预测研究_杜伟民
器件基础 (（美）巴利加著；韩郑生，陆江，宋李梅等译；孙宝刚审校)
材料与器件 (Michael Shur)
东芝1200V SIC SBD “TRSxxx120Hx系列” 助力工业电源设备高效
2024 瑞萨电子MCU/MPU工业技术研讨会——深圳、上海站， 火热报名中
STM32N6终于要发布了，ST首款带有NPU的MCU到底怎么样，欢迎小伙们来STM32全球线上峰会寻找答案！
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制定中期财务模型：2027-2028年营收约180 亿美元，营业利润率22-24%重申200 亿+美元营收目标和相关财务模型，目前预计2030年完成营收目标 ...
创实技术electronica 2024首秀：加速国内分销商海外拓展之路
作为全球顶级规模、最具影响力的电子元器件展会，备受瞩目的2024德国慕尼黑国际电子元器件博览会（electronica 2024）于2024年11月12-15日 ...
在上周刚刚举办的Electronica 2024 CEO圆桌论坛上，英飞凌，恩智浦以及意法半导体三家芯片巨头CEO齐亮相，三家CEO集体表达了对中美关系的 ...
一场IC设计业盛宴！10场论坛 200位演讲嘉宾，300+展商亮相2万平米专业展会！
今年正值ICCAD-Expo 30周年，我们最终选择再度牵手上海。12月11-12日，“上海集成电路2024年度产业高质量发展论坛暨第三十届集成电路设计业展览会”（ICCAD-Expo 2024）将在上海世博展览馆隆重举行。...
富昌电子于 11 月 20 日在杭州举办富昌技术日活动，汇聚半导体供应商与行业专家，通过演讲、演示和互动讨论，一同探讨汽车电子、新能源 ...
美国政府敲定对格芯 15 亿美元《CHIPS》法案补贴，支持后者提升在美产能
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STEVAL-IDS001V4，基于 SPIRIT1 的演示板 868-MHz 频段低成本、低数据速率、短距离 USB 加密狗收发器
使用 LatticeECP3 视频协议板和 HDMI 夹层卡的 HDMI/DVI 视频接口参考设计
驱动 2 个 LED 串的典型应用，每串 LED 串的电压高达 35V，电流为 200 mA，A8511 2 MHz、4 通道 x 150 mA WLED/RGB 驱动器的热降额，输出断开
NB3X6X1XXG8DFNEVK：8 kHz 至 200 MHz 一次性可编程时钟发生器评估套件，适用于 8 引脚 DFN 封装
使用 Microchip Technology 的 MICRF001 的参考设计
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